فرمت فایل دانلودی: .pptx فرمت فایل اصلی: pptx تعداد صفحات: 7 حجم فایل: 468 کیلوبایت قیمت: 20000 تومان
توضیحات: پاورپوینت ارائه کلاسی رشته برق با موضوع بررسی تکنولوژی SOI در ساخت ترانزیستورها، در حجم 7 اسلاید، شامل توضیحات و تصاویر.
این فایل به بررسی ساختار تکنولوژی SOI، ویژگی های آن وکاربردهای این تکنولوژی می پردازد.
بخشی از متن: در ویفرهای SOI ترانزیستورها در لایه نازکی از سیلیکون که توسط لایه ای از عایق از بدنه اصلی ویفر جدا میشود، واقع شده اند. ضخامت لایه سیلیکونی، بسته به کاربرد آن (کلید زنی الکترونیک قدرت یا میکروپروسسور) می تواند از حدود 500 انگستروم تا چندین میکرون تغییر کند.ضخامت لایه جداکننده (BOX)، می تواند تا چندین هزار انگستروم باشد.
فهرست مطالب: ساختار تکنولوژی SOI ویژگی های تکنولوژی SOI کاربردهای تکنولوژی SOI قفل شدگی خازن های نفوذ با SUBSTRATE Soft Errors